Si826x 隔离栅极驱动器

Si826x 隔离驱动器是广受欢迎的栅极驱动光电耦合器的嵌入式升级产品并与其引脚兼容,特别适用于驱动许多逆变器和电机控制应用中的功率 MOSFET 和 IGBT。

Si826x 隔离栅极驱动器采用我们专有的硅隔离技术,支持每 UL1577 的高达 5.0 kV 的 RMS 耐受电压,且相较于其他光电驱动器,性能更高、温度和老化变化更小、零件间匹配更加紧密且共模抑制更为出色。虽然输入电路模仿了 LED 的特性,但需要的驱动电流更少,从而提高了效率。传播延迟时间不依赖输入驱动电流,缩短了传播时间、降低了单元至单元的变异,并提高了输入电路的设计灵活性。因此,与光电耦合栅极驱动器相比,Si826x 设备具有更长的使用寿命以及更高的可靠性。封装选项包括:SO8、DIP8、LGA8 和 SDIP6。

峰值输出电流
4 A
低导通电流
3.6 mA

一般规格

  • 产品为插入式且引脚兼容,是广受欢迎的高速、光电耦合栅极驱动器的升级产品
  • 低功率二极管仿真器简化了设计流程
  • 0.6 和 4.0 A 峰值输出驱动电流
  • 轨对轨输出电压
  • 相较于光电驱动器的性能和可靠性优势
    • 耐高温,抗老化
    • 10x 更低的 FIT 速率,提高服务寿命
    • 零件匹配度提高了 14 倍
    • 更高的共模瞬态抗扰度:>50 kV/μs(典型值)
  • 稳健的保护功能
    • 多个滞后 UVLO 订购选项 (5、8和12 V)
  • 60 ns 的传播延迟,不依赖于输入驱动电流
  • 宽广的 VDD 范围:5 到 30 V
  • 3.75 和 5 kV 的加强隔离
    • UL、CSA、VDE
  • 符合 AEC-Q100
  • –40 至 +125 °C 的扩展工作温度
  • 符合 RoHS 的封装
状态
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零件号 隔离电压 (kVrms) 峰值输出电流 (A) UVLO 电压 (V) 输入类型 输出配置 封装类型 10 kV 浪涌 AEC-Q100 重叠保护和停滞时间控制 温度范围 (ºC) 驱动器电源 (V) 最大传播延迟 (ns)
3.75 0.6 5 LED 仿真器 单驱动器 GW DIP8 -40 125 5 30 60
3.75 0.6 5 LED 仿真器 单驱动器 NB SOIC-8 -40 125 5 30 60
5 0.6 5 LED 仿真器 单驱动器 WB SO6 -40 125 5 30 60
3.75 0.6 8 LED 仿真器 单驱动器 GW DIP8 -40 125 5 30 60
3.75 0.6 8 LED 仿真器 单驱动器 NB SOIC-8 -40 125 5 30 60
5 0.6 8 LED 仿真器 单驱动器 WB SO6 -40 125 5 30 60
3.75 0.6 12 LED 仿真器 单驱动器 GW DIP8 -40 125 5 30 60
3.75 0.6 12 LED 仿真器 单驱动器 NB SOIC-8 -40 125 5 30 60
5 0.6 12 LED 仿真器 单驱动器 WB SO6 -40 125 5 30 60
3.75 4 5 LED 仿真器 单驱动器 GW DIP8 -40 125 5 30 60
3.75 4 5 LED 仿真器 单驱动器 NB SOIC-8 -40 125 5 30 60
5 4 5 LED 仿真器 单驱动器 WB SO6 -40 125 5 30 60
3.75 4 8 LED 仿真器 单驱动器 GW DIP8 -40 125 5 30 60
3.75 4 8 LED 仿真器 单驱动器 NB SOIC-8 -40 125 5 30 60
5 4 8 LED 仿真器 单驱动器 WB SO6 -40 125 5 30 60
3.75 4 12 LED 仿真器 单驱动器 GW DIP8 -40 125 5 30 60
3.75 4 12 LED 仿真器 单驱动器 NB SOIC-8 -40 125 5 30 60
5 4 12 LED 仿真器 单驱动器 WB SO6 -40 125 5 30 60

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