Si875x隔离式 FET 栅极驱动器

Si875x 隔离式 FET 驱动器

Si8751/52 FET 驱动器提供一个简单的方式来更换固态继电器 (SSR) 或机电继电器 (EMR)。Si875x 设备将强大的 CMOS 隔离技术与 FET 驱动器结合在一起，以形成完整的隔离式开关。多功能输入选项提供数字 CMOS 引脚控制 (Si8751) 或二极管仿真 (Si8752) ，以最贴合应用程序。灵活的输出支持驱动式交流或直流负载配置，并且独立的设备生成自己的栅极驱动输出电压，从而降低成本、尺寸和复杂性。Si875x 设备消除了对笨重机械继电器的需求，并且允许对 FET 开关进行自我选择，所以设计可以针对应用的功率、成本、和性能要求进行优化。传统 SSR 集成了光电耦合式 LED 输入，并限制了解决方案的工作温度范围，与之不同的是，Si875x 驱动器可支持整个工业和汽车级温度范围，且具有更高的稳定性和更长的寿命。

在公称电压 10.3 V 下，Si875x 使用低至 1 mA 的输入电流来驱动 FET 栅极，并且其 2.5 kVrms 的隔离额定值为 UL、CSA、VDE 和 CQC 的完全认证奠定基础。独一无二的电源优化选项提供了最大开启电流以实现加速，然后在可选的外部电容放电时降低至静态维持电流。输入侧电压可灵活地在 2.25 V 至 5.5 V 之间变动，支持无缝连接至低功耗控制器。Si875x 设备提供了钳位，以防止在 FET 漏极产生较高 dv/dt 时意外开启外部 FET。

一般规格

数字 CMOS 或二极管仿真控制输入
开启时间 <100 µs 的 10.3 V 栅极驱动输出
内部产生的次级侧电源
米勒钳位电容支持以减少电感颤动
直流或交流负载开关支持

驱动用户选择的外部 FET
2.5 kVrms 隔离额定值
UL、CSA、VDE 和 CQC 认证（待定）
工业 -40 至 +105°C 或汽车 -40 至 125 °C 温度范围
符合 RoHS 的 SOIC-8 封装

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零件号	隔离电压 (kVrms)	输入类型	峰值输出电流	最大传播延迟 (µs)	驱动器供电范围 (V)	封装类型	AEC-Q100	输入电源 (V)	驱动器供电功能	温度范围 (ºC)	10 Kv 浪涌	重叠保护和停滞时间控制
Si8751AB-IS 购买样品开发套件	2.5	数字 CMOS	特定外部 FET	41	8 13 13	NB SOIC-8		2.25 5.5	8 13 13	-40 105
Si8752AB-IS 购买样品开发套件	2.5	二极管仿真	特定外部 FET	41	8 13 13	NB SOIC-8		2.25 5.5	8 13 13	-40 105

零件号

隔离电压 (kVrms)

输入类型

峰值输出电流

最大传播延迟 (µs)

驱动器供电范围 (V)

封装类型

AEC-Q100

输入电源 (V)

驱动器供电功能

温度范围 (ºC)

10 Kv 浪涌

重叠保护和停滞时间控制

Si8751AB-IS

购买样品开发套件

2.5

数字 CMOS

特定外部 FET

8 13 13

NB SOIC-8

2.25 5.5

8 13 13

-40 105

Si8752AB-IS

购买样品开发套件

2.5

二极管仿真

特定外部 FET

8 13 13

NB SOIC-8

2.25 5.5

8 13 13

-40 105

Si8752 隔离式 FET 驱动器评估套件

该 Si8751-KIT 评估板使得设计者能够利用 Silicon Lab 的 Si875x 隔离式 FET 隔离器轻松评估和开发。基板配备数字输入Si8751。板上设有螺旋式接线柱，可快速评估设备的关键参数，并在每个设备的引脚上设有测试点，以便直接连接至设计者的终端系统。EVB 支持直流和交流开关，并提供跳线可选择选项以评估降低功率和米勒钳位功能。Si8751-KIT 评估板展示了使用具有低成本、低功耗和高性能 FET 的 Si875x 更换机电或固态继电器的容易程度。

Si8752 隔离式 FET 驱动器评估套件

Si875x 隔离式 FET 驱动器

一般规格

状态

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