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Si823Hx 隔离栅极驱动器

Si823Hx 设备为强劲的栅极驱动器，适用于 SMPS 或逆变器等基于硅、氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (Sic) 的功率转换器系统。功能包括强劲的 30 V 驱动器 VDD 能力、实现更紧的回路控制的低延迟、噪声过滤；125 kV/µs 的高共模瞬变抗扰度 (CMTI)，输出引脚 -5 V 耐受电压和过温保护。驱动器升压阶段可在密勒平稳区域提供更高的电流驱动能力，以实现更快的接通时间。Si823Hx 隔离栅极驱动器基于我们的专有 CMOS 电容隔离技术，具有强大的隔离额定值，提供卓越的性能，以驱动先进的 GaN 或 SiC FET 来实现大幅系统效率提升，并借助欠压锁定保护和停滞时间可编程性等功能确保安全。

对称峰值电流
4 A
CMTI
125 kV/µs

一般规格

  • 单路或双路隔离驱动器一并提供
    • 2.5 kVrms 和 3.75 kVrms 隔离选项
  • 异步关闭选项所需的 DIS 或 EN 引脚
  • 3.0 V – 5.5 V 的 VDDI
  • PWM 和双驱动器版本
  • 4.0 A 灌电流/拉电流峰值输出
  • 30 ns 的最大传输延迟
  • 瞬态抗扰度：>125 kV/μs
  • 抗尖峰脉冲和噪声过滤器选项，可在嘈杂环境中实现强劲运转
  • 强劲的 30 V 驱动器侧供应
  • 过温保护
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零件号 隔离电压 (kVrms) 峰值输出电流 (A) UVLO 电压 (V) 输入类型 输出配置 封装类型
Si823H1AB-IM1
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2.5 4.0 6 VIA、 VIB 高侧 / 低侧 QFN14
Si823H1AB-IS1
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2.5 4.0 8 VIA、 VIB 高侧 / 低侧 QFN14
Si823H1BB-IS1
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2.5 4.0 12 VIA、 VIB 高侧 / 低侧 NB SOIC16
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Si823H9AC-IS
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3.75 4.0 6 VI 单驱动器 NB SOIC-8
Si823H9AD-IS4
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5 4.0 12 VI 单驱动器 SSO-8
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    按 Z -> A 顺序排序
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      Si823H2 隔离栅极驱动器评估套件

      Si823H2-KIT 评估板可用来评估我们的 Si823Hx 系列高性能驱动器。板上配备了该系列的 Si823H2x 版本。板上设有测试端子，可快速评估设备的关键参数，以便直接连接至设计者的终端系统。

      Si823H2 隔离栅极驱动器评估套件

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